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研究背景與挑戰鈣鈦礦/硅疊層太陽能電池因能突破單結電池的效率極限，成為下一代光伏技術的重要候選。特別是在工業化紋理硅基板上，此技術展現出優異的光捕獲能力與成本效益，具備良好的產業化前景。然而，其商業化仍面臨關鍵技術瓶頸：核心挑戰一：制程中的薄膜穩定性問題混合兩步蒸發-溶液沉積法雖能實現與紋理硅底層的共形接合，但制程需在高溫（~150°C）及高濕度（~40% RH）環境下進行空氣退火此條件導致鈣鈦礦薄膜表面因高溫濕氣雙重作用而嚴重分解核心挑戰二：PbI2副產物的負面效應薄膜分
研究背景與挑戰鈣鈦礦-有機串迭太陽能電池（POTSCs）憑借其能帶可調性優勢，理論上具備突破單接面電池Shockley-Queisser極限的潛力。相較于其他串迭技術，POTSCs具有優勢：鈣鈦礦層的紫外濾光特性提升操作穩定性，全薄膜結構支持高產量卷對卷制程，且可于常規環境下在柔性基板上加工，特別適用于建筑整合、車輛整合及可攜式電子產品等應用。然而，POTSCs發展面臨關鍵技術瓶頸：目前已認證效率（24.7%）仍低于全鈣鈦礦串迭電池（28.2%）及鈣鈦礦-CIGS串迭電池（24.2%）。造成此效
研究背景與挑戰PSC商業化的關鍵瓶頸在于缺陷鈍化制程的再現性不足。本研究針對此領域面臨的三大核心挑戰：1. 表面狀態變異性：鈣鈦礦薄膜表面狀態在不同批次、操作者間存在顯著差異，即使微小的制程波動（溫度、化學計量比、濕度）都會導致截然不同的缺陷分布，使鈍化效果難以重現。2. 最佳鈍化劑濃度控制困難：傳統策略需在缺陷修復與電荷傳輸間找到平衡點（最佳濃度C*），但表面狀態變異導致既定最佳條件無法跨實驗重現，甚至產生負面效果。3. 常規鈍化模式的固有限制：CP模式下鈍化劑濃度變化顯著影響其分布與能級對齊
研究背景鈣鈦礦疊層太陽能電池在效率提升過程中，「埋藏接口」質量已成為關鍵的技術制約因素。本研究深入探討鈣鈦礦子電池埋藏接口的技術瓶頸，致力于解決影響疊層電池光電轉換效率與長期穩定性的核心問題。• 結構缺陷與化學反應：在鈣鈦礦子電池的埋藏接口處，存在著有害的結構缺陷和化學反應，這些缺陷會導致顯著的非輻射電荷載流子復合和有害的化學反應。 • PEDOT:PSS 層帶來的挑戰：目前廣泛使用的空穴傳輸層 (HTL) PEDOT:PSS，其酸性和吸濕性會引發不利的氧化反應，嚴重惡化
研究背景與困難點 鈣鈦礦太陽能電池雖然發展迅速，但其開路電壓仍顯著落后于理論Shockley–Queisser極限，成為限制效率提升的關鍵瓶頸。造成電壓損失的主要原因包括：關鍵界面處的能量層不匹配和過度的非輻射復合。特別是在傳統結構中，SnO2電子傳輸層表面的未配位Sn2+ (Sn–OH)形成淺陷阱位點，嚴重損害電子傳輸效率。這些界面缺陷不僅降低器件性能，還加速鈣鈦礦在熱和濕氣環境下的降解，導致長期操作穩定性不足。 研究團隊及重要成果這項突破性的研究
研究困難與挑戰寬能隙 (WBG) 子電池中，作為空穴傳輸層的氧化鎳 (NiOx) 與自組裝單分子層 (SAMs) 之間的接口接觸問題，嚴重限制了器件的效率和穩定性。現有技術存在以下主要挑戰：•NiOx腐蝕問題：傳統上廣泛使用的SAMs，例如含有磷酸(PA)作為錨定基團的 SAMs (PA-SAMs)，其酸性較強，容易腐蝕具有化學反應性的NiOx層，會損害NiOx層的完整性和功能，進而削弱器件的穩定性。•SAM分子聚集與接口問題： 傳統SAMs分子在NiOx表面容易發生聚集
