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研究成就與看點(diǎn)全鈣鈦礦串聯(lián)太陽(yáng)能電池（All-perovskitetandemsolarcells,TSCs）因其突破單接面太陽(yáng)能電池Shockley-Queisser(S-Q)極限的巨大潛力而備受關(guān)注。然而，寬能隙（Wide-bandga...
研究背景與挑戰(zhàn)1.多結(jié)太陽(yáng)能電池的技術(shù)瓶頸III-V族多結(jié)太陽(yáng)能電池具備光電轉(zhuǎn)換效率，為太空應(yīng)用。柔性GaInP/GaAs/InGaAs電池更兼具輕量化、高比功率、優(yōu)異抗輻射性等優(yōu)勢(shì)。然而，進(jìn)一步提升效率面臨關(guān)鍵挑戰(zhàn)：材料生長(zhǎng)難題：高帶隙AlGaInP、高晶格失配InGaAs及透明隧道結(jié)制備困難應(yīng)力平衡限制：超過(guò)100周期量子阱的應(yīng)力控制極為困難，特別是在2.2%晶格失配條件下輻射損傷敏感：GaAs子電池易受太空高能粒子損傷，載流子收集效率下降2.量子阱技術(shù)的應(yīng)用挑戰(zhàn)量子阱（...
量子效率測(cè)試系統(tǒng)采用高精度的光學(xué)元件來(lái)保證入射光的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。例如，使用高質(zhì)量的透鏡和濾光片組合，能夠準(zhǔn)確地控制光照波長(zhǎng)和強(qiáng)度，減少光路中的信號(hào)損失和干擾。在電學(xué)測(cè)量方面，具備高分辨率的電流電壓測(cè)量?jī)x器，可以檢測(cè)到微弱的光電流信號(hào)，從而準(zhǔn)確測(cè)定量子效率。以測(cè)試新型高性能太陽(yáng)能電池為例，其量子效率可能非常高，且對(duì)不同波長(zhǎng)光的響應(yīng)差異細(xì)微。能夠準(zhǔn)確分辨這些差異，為科研人員提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)，有助于他們進(jìn)一步優(yōu)化電池結(jié)構(gòu)和材料，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。該系統(tǒng)在投入使用前會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的...
量子效率(QuantumEfficiency，QE)是衡量光電器件將入射光子轉(zhuǎn)化為光電子或光子的能力的重要參數(shù)。量子效率測(cè)試系統(tǒng)旨在準(zhǔn)確測(cè)定這一關(guān)鍵指標(biāo)，其工作原理涉及多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。(一)光源與光學(xué)系統(tǒng)系統(tǒng)首先需要一個(gè)穩(wěn)定的光源，通常涵蓋從紫外到紅外的廣泛光譜范圍，以適應(yīng)不同類型光電器件的測(cè)試需求。光源發(fā)出的光線經(jīng)過(guò)一系列的光學(xué)元件，如透鏡、濾光片等，進(jìn)行準(zhǔn)直、單色化處理。濾光片可選擇性地讓特定波長(zhǎng)的光通過(guò)，使得能夠準(zhǔn)確測(cè)量器件在不同波長(zhǎng)下的量子效率。例如，在測(cè)試太陽(yáng)能電池時(shí)...
太陽(yáng)光模擬器的時(shí)間穩(wěn)定性是衡量其輸出光功率隨時(shí)間波動(dòng)幅度的核心指標(biāo)，直接影響光伏電池效率測(cè)試、材料老化研究等實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性。根據(jù)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)及行業(yè)實(shí)踐，其要求可歸納為以下關(guān)鍵點(diǎn)：一、時(shí)間穩(wěn)定性的定義與分類時(shí)間穩(wěn)定性分為短期穩(wěn)定性(STI)和長(zhǎng)期穩(wěn)定性(LTI)：短期穩(wěn)定性(STI)：指30秒至數(shù)分鐘內(nèi)的輻照強(qiáng)度波動(dòng)，反映光源的瞬態(tài)響應(yīng)能力。長(zhǎng)期穩(wěn)定性(LTI)：指30分鐘至數(shù)小時(shí)內(nèi)的輻照強(qiáng)度波動(dòng)，反映光源的持續(xù)工作能力。二、AAA級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)間穩(wěn)定性要求符合AAA級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的太陽(yáng)光模擬器...
研究背景與挑戰(zhàn)鈣鈦礦/C60接口的嚴(yán)重電荷復(fù)合現(xiàn)象是制約鈣鈦礦太陽(yáng)能電池性能提升的關(guān)鍵瓶頸。此問(wèn)題主要源于兩個(gè)機(jī)制：1.C60與鈣鈦礦導(dǎo)帶底(CBM)間的能量偏移直接限制了器件的開(kāi)路電壓(Voc)2.C60誘發(fā)的高陷阱態(tài)密度(Nt)導(dǎo)致Voc呈對(duì)數(shù)式衰減。目前常用的接口鈍化材料如LiF或PEAI雖可緩解此問(wèn)題，但存在明顯局限性：制備重現(xiàn)性不佳、試錯(cuò)成本偏高，且在高填充密度條件下難以實(shí)現(xiàn)均勻表面覆蓋。研究團(tuán)隊(duì)本研究由香港中文大學(xué)MartinStolterfoht教授與華東理工大...
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